多段防護回路
多段防護回路とは
応答速度の速い半導体素子（ABD）と電流耐量の大きい素子（GDT）をインピーダンス（抵抗）で結合した回路です。
多段防護回路の一例（H型回路）
多段防護回路は、通信、信号回線（耐電圧が非常に小さい機器を保護する場合）に有効な回路です。
ABDとGDTのメリットとデメリット
・ABD：
応答速度が速いため、雷サージを瞬時に動作して低電圧に抑えることができますが、電流耐量が小さいため、大きな雷サージが侵入した場合は破損してしまい、機器を保護できない可能性があります。
・GDT：
電流耐量が大きいため、大きな雷サージが侵入した場合でも破損するリスクは低いですが、応答速度が遅いため、雷サージを瞬時に低電圧に抑えることができず、通信機器のような耐電圧が低い機器の場合、機器を十分に防護できない可能性があります。
| 素子 | 応答速度 | 電流耐量 |
| ABD | 速い | 小さい |
| GDT | 遅い | 大きい |
多段防護回路は、ABDとGDTのデメリットを解消し、メリットを活かした保護回路です。