セラミックアレスタ(GDT)
項目 | 条件 | 性能 |
直流放電開始電圧 | 100 V/s | 420 V ± 20% |
インパルス放電開始電圧 | 1 kV/μs | 1000 V 以下 |
絶縁抵抗 | DC 100 V | 10000 MΩ 以上 |
静電容量 | 1 MHz | 3.0 pF 以下 |
直流ホールドオーバ電圧 | DC 135V、ITU-T K. 12 Test 1 | 150 ms 以下 |
インパルス寿命 | 10/1000 μs、100 A × 2 | 300 回 |
インパルス電流耐量 | 8/20 μs、5 kA × 2 | + 5 回、- 5 回 |
交流電流耐量 | 50 Hz、5 A × 2、1 s | 5 回 |
質量 | - | 約 2.6 g |